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Poster Presentation
PP 265

Multi-step temperature growth process optimization of N-polar GaN and its application to HEMT structures

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 18:00 – 18:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Growth

Session

Growth

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Hengfang Zhang (Linköping University / SE), Dr. Philipp Kühne (Linköping University / SE), Alexis Papamichail (Linköping University / SE), Dr. Steffen Richter (Lund University / SE), Ingemar Persson (Linköping University / SE), Professor Per O. Å. Persson (Linköping University / SE), Dr. Jr-Tai Chen (SweGaN AB / SE), Prof. Dr. Plamen P. Paskov (Linköping University / SE), Prof. Dr. Vanya Darakchieva (Linköping University / SE; Lund University / SE)