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Poster Presentation
PP 149

Crystal-plane dependent influence of TMAH on trench etching for GaN Schottky and p-n diodes

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 13:15 – 13:15

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Thorsten Zweipfennig (RWTH Aachen University / DE), Shubham Agrawal (RWTH Aachen University / DE), Carsten Beckmann (RWTH Aachen University / DE), Arne Debald (RWTH Aachen University / DE; AIXTRON SE / DE), Prof. Dr. Michael Heuken (RWTH Aachen University / DE; AIXTRON SE / DE), Dr. Holger Kalisch (RWTH Aachen University / DE), Professor Andrei Vescan (RWTH Aachen University / DE)