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Abstract Talk
AT 258

Understanding homoepitaxial GaN growth by hot-wall MOCVD

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 11:00 – 11:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

GaN Homoepitaxial Applications

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Rosalia Delgado-Carrascon (Linköping University / SE), Dr. Steffen Richter (Linköping University / SE; NanoLund, Lund University / SE), Dr. Muhammad Nawaz (Center for III-Nitride Technology C3NiT-Janzén, Linköping University / SE; Hitachi Energy Research (HER) / SE), Prof. Dr. Plamen P. Paskov (Center for III-Nitride Technology C3NiT-Janzén, Linköping University / SE), Prof. Dr. Vanya Darakchieva (Linköping University / SE; NanoLund, Lund University / SE)