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Abstract Talk
AT 018

Epitaxy of high quality AlN and AlGaN layers on Si (111) by reactive pulsed sputtering

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 15:00 – 15:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

AlGaN Relaxation and Applications

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende