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Abstract Talk
AT 230

Anomalous transport properties of the two-dimensional electron gas in GaN-based high-electron-mobility transistor structures

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 09:00 – 09:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon London

Session

Processing of h-BN

Themen

Characterization
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Sean Knight (Linkoping University / SE), Philipp Kuehne (Linkoping University / SE), Dr. Nerijus Armakavicius (Linkoping University / SE), Dr. Steffen Richter (Lund University / SE), Vallery Stanishev (Linkoping University / SE), Dr. Jr-Tai Chen (SweGaN AB / SE), Mathias Schubert (Univeristy of Nebraska-Lincoln / US), Prof. Dr. Plamen P. Paskov (Linkoping University / SE), Prof. Dr. Vanya Darakchieva (Linkoping University / SE)