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Abstract Talk
AT 240

232 nm AlGaN Far-UV LED with 0.53% EQE and 3.2 mW power developed by polarization doped transparent p-contact layer

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 09:30 – 09:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Vienna

Session

230nm UV-1

Themen

Growth
Optical devices

Mitwirkende

Dr. Noritoshi Maeda (RIKEN / JP), Yukio Kashima (RIKEN / JP), Eriko Matsuura (RIKEN / JP), Yasushi Iwaisako (Nippon Tungsten Co., Ltd / JP), Professor Hideki Hirayama (RIKEN / JP)