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Abstract Talk
AT 137

Electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs fabricated on semi-insulating GaN substrates doped with Fe, C, or Mn

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 10:30 – 10:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Substrates, field effects, transport

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Daiki Tanaka (Nagoya university / JP), Dr. Kenji Iso (Mitsubishi Chemical Corporation / JP; Nagoya University IMaSS / JP), Akinori Miura (Mitsubishi Chemical Corporation / JP; Nagoya University IMaSS / JP), Professor Yuji Ando (Nagoya university / JP), Professor Jun Suda (Nagoya university / JP)