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Abstract Talk
AT 047

Mg-implanted vertical GaN junction barrier Schottky diodes with low on-resistance, high breakdown voltage, low turn-on voltage and avalanche capability

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 09:00 – 09:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Session

Ion implantation and annealing

Thema

Electronic devices

Mitwirkende

Dr. Maciej Matys (IMaSS Nagoya University / JP), Prof. Dr. Tsutomu Uesugi (IMaSS Nagoya University / JP), Kazuki Kitagawa (Nagoya University / JP), Professor Jun Suda (Nagoya University / JP), Professor Tetsu Kachi (IMaSS Nagoya University / JP)