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Abstract Talk
AT 182

Fabrication of GaN/AlN resonant tunneling diodes by MOVPE

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

AlN based electronic devices

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Daiki Iwata (Nagoya University / JP), Takeru Kumabe (Nagoya University / JP), Hirotaka Watanabe (Nagoya University / JP), Dr. Maki Kushimoto (Nagoya University / JP), Professor Manato Deki (Nagoya University / JP), Professor Shugo Nitta (Nagoya University / JP), Professor Atsushi Tanaka (Nagoya University / JP), Prof. Dr. Yoshio Honda (Nagoya University / JP), Prof. Dr. Hiroshi Amano (Nagoya University / JP)