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Poster Presentation
PP 361

Semipolar {11-22} AlInN epitaxial layers grown on a fully relaxed semipolar GaInN/GaN/m-plane sapphire template by MOCVD

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 12:00 – 12:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Session

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Takahiro Fujisawa (Nagoya Institute of Technology / JP), Makoto Miyoshi (Nagoya Institute of Technology / JP), Takashi Egawa (Nagoya Institute of Technology / JP), Professor Tetsuya Takeuchi (Meijo University / JP), Prof. Dr. Narihito Okada (Yamaguchi University / JP), Kazuyuki Tadatomo (Yamaguchi University / JP)