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IWN 2022
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Takahiro Fujisawa
Nagoya Institute of Technology / JP
Nagoya Institute of Technology
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12.10.2022
Poster Presentation
PP 361
Semipolar {11-22} AlInN epitaxial layers grown on a fully relaxed semipolar GaInN/GaN/m-plane sapphire template by MOCVD
Characterization, Growth
v1.19.0
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