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  • Abstract Talk
  • AT 236

Deep levels effects and on-wafer reliability of 0.15 μm InAlN/GaN and InAlGaN/GaN HEMTs with AlGaN backbarrier for RF applications

Termin

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Salon Rome

Session

Modelling and characterization

Themen

  • Characterization
  • Electronic devices

Mitwirkende

Dr. Zhan Gao (Università degli Studi di Padova / IT), Francesca Chiocchetta (Università degli Studi di Padova / IT), Mirko Fornasier (Università degli Studi di Padova / IT), Marco Saro (Università degli Studi di Padova / IT), Elia Stramare (Università degli Studi di Padova / IT), Andrea Tonello (Università degli Studi di Padova / IT), Chandan Sharma (Università degli Studi di Padova / IT), Nicola Modolo (Università degli Studi di Padova / IT), Dr. Carlo De Santi (Università degli Studi di Padova / IT), Fabiana Rampazzo (Università degli Studi di Padova / IT), Professor Gaudenzio Meneghesso (Università degli Studi di Padova / IT), Professor Matteo Meneghini (Università degli Studi di Padova / IT), Professor Enrico Zanoni (Università degli Studi di Padova / IT), Jean-Claude Jacquet (III-V Lab / FR), Cédric Lacam (III-V Lab / FR), Stephane Piotrowicz (III-V Lab / FR), Mourad Oualli (III-V Lab / FR), Nicolas Michel (III-V Lab / FR), Sebastien Aroulanda (III-V Lab / FR)

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