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Abstract Talk
AT 180

Realization of AlN homojunction PN diodes

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 17:00 – 17:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

AlN based electronic devices

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Christopher M. Matthews (Georgia Institute of Technology / US), Dr. Habib Ahmad (Georgia Institute of Technology / US), Zachary Engel (Georgia Institute of Technology / US), Keisuke Motoki (Georgia Institute of Technology / US), Sangho Lee (Georgia Institute of Technology / US), Prof. Dr. William Alan Doolittle (Georgia Institute of Technology / US)