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Poster Presentation
PP 046

Comparative study of quarter-micron AlGaN/GaN HEMTs grown on QST-engineered, SiC and Si substrates

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Dr. Patrick Waltereit (Fraunhofer IAF / DE), Stefan Müller (Fraunhofer IAF / DE), Dr. Lutz Kirste (Fraunhofer IAF / DE), Heiko Czap (Fraunhofer IAF / DE), Dr. Marko Tadjer (US Naval Research Laboratory / US), Dr. Travis Anderson (US Naval Research Laboratory / US), James Lundh (US Naval Research Laboratory / US), Dr. Vlad Odnoblyudov (Qromis Inc / US)