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Abstract Talk
AT 007

AlGaN channel high electron mobility transistors on bulk AlN substrate

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 14:15 – 14:30

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Session

CMOS, high temperature, data transmission

Themen

Electronic devices
Novel Materials and Nanostructures

Mitwirkende

Jash Mehta (IEMN-CNRS / FR), Idriss Abid (IEMN-CNRS / FR), Reda El Waradi (CRHEA-CNRS / FR), Dr. Yvon Cordier (CRHEA-CNRS / FR), Dr. Farid Medjdoub (IEMN-CNRS / FR)