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Poster Presentation
PP 246

Electrical characteristics of gated-anode diodes based on normally-off recessed-gate GaN HEMT for rectenna application

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 18:00 – 18:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Hidemasa Takahashi (Nagoya University / JP), Professor Yuji Ando (Nagoya University / JP), Yoichi Tsuchiya (Nagoya Institute of Technology / JP), Professor Akio Wakejima (Nagoya Institute of Technology / JP), Professor Jun Suda (Nagoya University / JP)