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Abstract Talk
AT 260

Comparison of AlGaN/GaN high electron mobility transistors grown by MOVPE on 3C-SiC/Si(111), Si(111) and 6H-SiC for RF applications

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 11:00 – 11:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Substrates, field effects, transport

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Dr. Yvon Cordier (CRHEA-CNRS / FR)