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Abstract Talk
AT 068

Investigation of electrical properties of N-Polar AlGaN/AlN heterostructure field effect transistors

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 11:45 – 12:00

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

High frequency I

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Daisuke Inahara (Yamaguchi University / JP), Shunsuke Matuda (Yamaguchi University / JP), Professor Ryo Okuno (Yamaguchi University / JP), Koki Hanasaku (Yamaguchi University / JP), Taketo Kowaki (Yamaguchi University / JP), Minagi Miyamoto (Yamaguchi University / JP), Satoshi Kurai (Yamaguchi University / JP), Prof. Dr. Narihito Okada (Yamaguchi University / JP), Professor Yoichi Yamada (Yamaguchi University / JP)