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Poster Presentation
PP 393

High temperature growth of InGaN in plasma assisted molecular beam epitaxy – a path towards improvement of quantum efficiency

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 12:00 – 12:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Optical devices

Session

Optical devices

Themen

Growth
Optical devices

Mitwirkende