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Abstract Talk
AT 190

Si doping effects in AlGaN channel layer on performance of N-polar AlGaN/AlN heterojunction FETs

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 17:00 – 17:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

Doping Applications

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende