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Abstract Talk
AT 178

InGaN laser diodes with ZnO – Al-based contact layers

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon London

Session

Photonic devices

Themen

Novel Materials and Nanostructures
Optical devices

Mitwirkende

Dr. Szymon Grzanka (Top-GaN Ltd. / PL), Prof. Dr. Eliana Kamińska (Institute of High Pressure Physics PAS / PL), Dr. Iryna Levchenko (Institute of High Pressure Physics PAS / PL), Dr. Julita Smalc-Koziorowska (Institute of High Pressure Physics PAS / PL), Professor Piotr Perlin (Institute of High Pressure Physics PAS / PL), Aleksandra Wójcicka (Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics / PL), Dr. Michał A. Borysiewicz (Łukasiewicz Research Network - Institute of Microelectronics and Photonics / PL)