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Poster Presentation
PP 033

Depth profiling of a donor-like defect induced by ultra-low-dose Si-ion implantation and subsequent annealing in homoepitaxial n-type GaN

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Hiroko Iguchi (Nagoya University / JP), Prof. Dr. Masahiro Horita (Nagoya University / JP), Professor Jun Suda (Nagoya University / JP)