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Abstract Talk
AT 259

GaN homoepitaxial growth and substrate-dependent effects for vertical power devices

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 11:15 – 11:30

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

GaN Homoepitaxial Applications

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Dr. Jennifer Hite (US Naval Research Laboratory / US), Dr. Michael Mastro (US Naval Research Laboratory / US), Dr. James Gallagher (US Naval Research Laboratory / US), Dr. Mona Ebrish (US Naval Research Laboratory / US), Dr. Jaime Freita Jr. (US Naval Research Laboratory / US), Dr. Travis Anderson (US Naval Research Laboratory / US)