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Abstract Talk
AT 212

Sub-micron thick step-graded AlGaN buffer on silicon with a buffer breakdown field higher than 6 MV/cm

Termin

Datum: 13.10.2022

Zeit: 11:00 – 11:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Novel concepts

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Elodie Carneiro (IEMN (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology) / FR)