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Poster Presentation
PP 213

Electrical behavior of vertical Schottky diode on GaN homoepitaxy

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 18:00 – 18:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Characterization

Session

Characterization

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Professor Jean-Marie Bluet (INSA-LYON / FR), Maroun Dagher (INSA-LYON / FR), Camille Sonneville (INSa-LYON / FR), Georges Brémond (INSA-LYON / FR), Dominique Planson (INSA-LYON / FR), Dr. Yvon Cordier (CHREA / FR), Helge Haas (CEA-LETI / FR), Mohamed Reda Iretki (CEA-LETI / FR), Juien Buckley (CEA-LETI / FR), Vishwajeet Maurya (CEA-LETI / FR), Dr. Matthew Charles (CEA-LETI / FR)