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Abstract Talk
AT 224

Growth of high-quality 1.6μm-thick Al0.63Ga0.37N on strain-engineerable AlN for low forward voltage UVC LEDs

Termin

Datum: 13.10.2022

Zeit: 11:30 – 11:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

UV LEDs

Themen

Growth
Optical devices

Mitwirkende

Professor ChiaYen Huang (National Yangming Chiaotung University / TW), Dr. Sebastian Walde (Ferdinand-Braun-Institut (FBH) / DE), WenHsuan Hsieh (National Yangming Chiaotung University / TW), Dr. ChiaLung Tsai (Industrial Technology Research Institute / TW), Dr. YiKeng Fu (Industrial Technology Research Institute / TW), Dr. Sylvia Hagedorn (Ferdinand-Braun-Institut (FBH) / DE), Professor Tien-Chang Lu (National Yangming Chiaotung University / TW), Prof. Dr. Markus Weyers (Ferdinand-Braun-Institut (FBH) / DE)