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Poster Presentation
PP 272

Temperature field and fluid flow in ammonothermal growth of GaN during etch-back and crystal growth for a retrograde solubility configuration

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 18:00 – 18:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Session

Thema

Growth

Mitwirkende

Dr. Saskia Schimmel (Friedrich-Alexander-Universität Erlangen-Nürnberg / DE), Daisuke Tomida (Nagoya University / JP), Tohru Ishiguro (Tohoku University / JP), Prof. Dr. Yoshio Honda (Nagoya University / JP), Professor Shigefusa F. Chichibu (Tohoku University / JP), Prof. Dr. Hiroshi Amano (Nagoya University / JP)