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Abstract Talk
AT 158

Control of oxidation and reduction reactions at SiO₂/GaN interfaces towards high performance and reliability GaN MOSFETs

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 15:00 – 15:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Session

Surface and interface states

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Takuma Kobayashi (Osaka University / JP), Bunichiro Mikake (Osaka University / JP), Hidetoshi Mizobata (Osaka University / JP), Mikito Nozaki (Osaka University / JP), Takayoshi Shimura (Osaka University / JP), Heiji Watanabe (Osaka University / JP)