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Abstract Talk
AT 148

Suppression of impact ionization by carbon doping in the GaN buffer layer in InAlN/GaN-based HEMTs

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 14:30 – 14:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Session

Processes for Electronic Devices

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Sujan Sarkar (Indian Institute of Technology Madras / IN), Ramdas P. Khade (Indian Institute of Technology Madras / IN), Professor Nandita DasGupta (Indian Institute of Technology Madras / IN), Professor Amitava DasGupta (Indian Institute of Technology Madras / IN)