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Abstract Talk
AT 206

GaN surface stability in MOVPE environment and its impact on the quantum efficiency of InGaN/GaN quantum wells

Termin

Datum: 13.10.2022

Zeit: 09:45 – 10:00

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

III-nitride heterostructures

Themen

Growth
Optical devices

Mitwirkende

Yao Chen (EPFL / CH), Dr. Jean-François Carlin (EPFL / CH), Professor Nicolas Grandjean (EPFL / CH)