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Abstract Talk
AT 116

Demonstration of Sc0.2Al0.8N HEMT structures with a sheet resistance of 150 Ω/□ and a sheet charge of 5.9x1013 cm-2 with phase pure, metal rich growth

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 09:15 – 09:30

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

ScAlN, charge confinement and trapping

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Zachary Engel (Georgia Tech / US), Keisuke Motoki (Georgia Tech / US), Christopher M. Matthews (Georgia Tech / US), Prof. Dr. William Alan Doolittle (Georgia Tech / US)