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Poster Presentation
PP 355

Suppressing p-type parasitic channel generation at the interface of an aluminum nitride nucleation layer and a high resistivity silicon substrate

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 12:00 – 12:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Growth

Session

Growth

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Dr. Po-Jung Lin (GlobalWafers / TW), Dr. Jia-Zen Liu (GlobalWafers / TW), Tzu-Yao Lin (GlobalWafers / TW), Hong-Che Lin (GlobalWafers / TW), Chih-Yuan Chuang (GlobalWafers / TW), Dr. Wen-Ching Hsu (GlobalWafers / TW)