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Poster Presentation
PP 032

MOCVD-Grown highly Si-doped InAs and GaAs on arsenided GaN/Al₂O₃ templates

Termin

Datum: 10.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:30

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Dr. Takuya Hoshi (NTT Corporation / JP), Yuki Yoshiya (NTT Corporation / JP), Hiroki Sugiyama (NTT Corporation / JP), Fumito Nakajima (NTT Corporation / JP)