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Dr. Takuya Hoshi

NTT Corporation / JP

NTT Corporation

Vortrag

10.10.2022
Poster Presentation
PP 032
MOCVD-Grown highly Si-doped InAs and GaAs on arsenided GaN/Al₂O₃ templates
Electronic devices, Growth

Weitere Beteiligungen

10.10.2022
Poster Presentation
PP 032
MOCVD-Grown highly Si-doped InAs and GaAs on arsenided GaN/Al₂O₃ templates
Electronic devices, Growth