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Invited Talk
IT 67

HVPE growth for vertical GaN p-n junction diodes with high breakdown voltages

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 10:30 – 11:00

Redezeit: 25 Min.

Diskussionszeit: 5 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

GaN Homoepitaxial Applications