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IWN 2022
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Kazuki Ohnishi
Nagoya University / JP
Nagoya University
Sortiert nach Typ
Datum
Invited Speaker
14.10.2022
10:30
–
11:00
25 Min.
5 Min.
Invited Talk
IT 67
HVPE growth for vertical GaN p-n junction diodes with high breakdown voltages
Weitere Beteiligungen
11.10.2022
11:00
–
11:15
12 Min.
3 Min.
Abstract Talk
AT 075
Progress of morphology roughening of GaN drift layer on GaN substrates with slight off-angle grown by MOVPE
Electronic devices, Growth
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