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Poster Presentation
PP 315

Modeling of the point defect migration across the AlN/GaN interfaces – ab initio study

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 12:00 – 12:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

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Session

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Themen

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Growth

Mitwirkende

Roman Hrytsak (Institute of High Pressure Physics "Unipress", PAS / PL; University of Rzeszow / PL), Dr. Pawel Kempisty (Institute of High Pressure Physics "Unipress", PAS / PL), Ewa Grzanka (Institute of High Pressure Physics "Unipress", PAS / PL), Professor Mike Leszczyński (Institute of High Pressure Physics "Unipress", PAS / PL), Professor Malgorzata Sznajder (University of Rzeszow / PL)