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Poster Presentation
PP 240

Reverse blocking Schottky-Drain Al_0.3Ga_0.7N/GaN/Al_0.1Ga_0.9N double heterojunction HEMTs with low leakage current and high breakdown voltage

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 18:00 – 18:00

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Electronic devices

Session

Electronic devices

Thema

Electronic devices

Mitwirkende

Professor Weihang Zhang (Xidian University / CN; Wide bandgap semiconductor innovation center of Guangzhou, Guangzhou institute of technology, Xidian University, / CN), Professor Jinfeng Zhang (Xidian University / CN), Dr. Xi Liu (Xidian University / CN)