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Abstract Talk
AT 145

Non-destructive characterization of dislocations observed in HVPE GaN grown on Na-flux-grown GaN substrate

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 11:30 – 11:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

GaN Crystallization and Defects

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende

Bhavpreeta Pratap Charan (Osaka University / JP), Ricksen Tandryo (Osaka University / JP), Professor Masayuki Imanishi (Osaka University / JP), Kosuke Murakami (Osaka University / JP), Prof. Dr. Shigeyoshi Usami (Osaka University / JP), Mihoko Maruyama (Osaka University / JP; Kyoto Prefecture University / JP), Professor Masashi Yoshimura (Osaka University / JP), Professor Yusuke Mori (Osaka University / JP)