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Abstract Talk
AT 160

Co-integrated E-mode and D-mode Al(Ga)N/GaN HEMTs via p-GaN sublimation and local area regrowth of AlGaN

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 15:30 – 15:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Surface and interface states

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Dr. Yvon Cordier (CRHEA-CNRS / FR)