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Invited Talk
IT 39

Use of HfZrO ferroelectric thin film as gate stack material to achieve High Vth E-Mode GaN HEMT for power application

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 14:15 – 14:45

Redezeit: 25 Min.

Diskussionszeit: 5 Min.

Ort / Stream:

Salon Rome

Session

Surface and interface states

Beschreibung

Dr. Hans Joachim Würfl (FBH) on behalf on Prof. Edward Chang (NYCU)