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Hans-Joachim Würfl

Ferdinand-Braun-Institut / DE

Ferdinand-Braun-Institut

Vorsitz

11.10.2022
10:30 – 12:00
Session
High frequency I
Salon Rome

Invited Speaker

12.10.2022
14:15 – 14:45 25 Min. 5 Min.
Invited Talk
IT 39
Use of HfZrO ferroelectric thin film as gate stack material to achieve High Vth E-Mode GaN HEMT for power application

Weitere Beteiligungen

11.10.2022
15:30 – 15:45 12 Min. 3 Min.
Abstract Talk
AT 085
Analysis of mechanical strain in AlGaN/GaN HFETs
Characterization, Electronic devices