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Abstract Talk
AT 077

Molecular beam epitaxy as a production tool for GaN-on-Si electronics

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 11:30 – 11:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

Vertical GaN Processing

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Sebastian Tamariz (EasyGaN / FR), Stéphanie Rennesson (EasyGaN / FR), Elodie Carneiro (EasyGaN / FR; Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), CNRS / FR), Dr. Farid Medjdoub (Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN), CNRS / FR), Samuel Matta (RIBER / FR), Fabrice Semond (Université Côte d’Azur, CNRS, CRHEA / FR)