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Poster Presentation
PP 193

Spatial and temperature variation of the Huang-Rhys factor in InGaN quantum wells

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 13:15 – 13:15

Redezeit: 0 Min.

Diskussionszeit: 0 Min.

Ort / Stream:

Topic Optical devices

Session

Optical devices

Themen

Characterization
Optical devices

Mitwirkende

Conny Becht (Institue of physics, university of technology / DE), Mursal Baggash (Institue of physics, university of technology / DE), Prof. Dr. Ulrich Theodor Schwarz (Institue of physics, university of technology / DE), Michael Binder (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE), Bastian Galler (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE), Jürgen Off (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE), Maximilian Tauer (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE), Alvaro Gomez Iglesias (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE), Heng Wang (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE), Martin Strassburg (OSRAM opto semiconductors GmbH / DE)