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Abstract Talk
AT 189

Compensation control of n-type GaN using intrinsic carbon from TMGaprecursor in MOVPE growth for vertical GaN power devices

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 16:45 – 17:00

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

Doping Applications

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Dr. Paweł Prystawko (Institute of High Pressure Physics, PAS / PL), Dr. Piotr Kruszewski (Institute of High Pressure Physics, PAS / PL)