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Abstract Talk
AT 244

In situ X-Ray scattering studies of the influence of plasma properties on epitaxial InN growth by plasma-enhanced atomic layer deposition

Termin

Datum: 14.10.2022

Zeit: 09:30 – 09:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

InGaN and Micro LEDs

Themen

Characterization
Growth

Mitwirkende