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Invited Talk
IT 24
Very high n and p-type conduction in (Al)GaN including the first demonstration of AlN pn homojunction Diodes
Invited Speaker
Prof. Dr. William Alan Doolittle
Georgia Institute of Technology / US
Termin
Datum:
11.10.2022
Zeit:
15:30
–
16:00
Redezeit:
25 Min.
Diskussionszeit:
5 Min.
Ort / Stream:
Salon Moskau
Session
Doping
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