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Abstract Talk
AT 123

Ammonia source molecular beam epitaxy of ScxAl1-xN/GaN high electron mobility transistor heterostructures

Termin

Datum: 12.10.2022

Zeit: 09:00 – 09:15

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Salon Moskau

Session

Sc/B containing III-nitrides

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Caroline Elias (CRHEA / FR), Dr. Maxime Hugues (CRHEA / FR), Dr. Yvon Cordier (CRHEA / FR)