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Abstract Talk
AT 099

Thermally grown Nb-oxide for GaN-based MOS-HEMTs

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 17:30 – 17:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Session

Themen

Characterization
Electronic devices

Mitwirkende

Navneet Bhardwaj (IIT Bombay / IN), Dr. Bhanu Bhakta Upadhyay (IIT Bombay / IN), Bazila Parvez (IIT Bombay / IN), Professor Swaroop Ganguly (IIT Bombay / IN), Professor Dipankar Saha (IIT Bombay / IN)