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Abstract Talk
AT 067

First demonstration of N-polar AlGaN/AlGaN high electron mobility transistor

Termin

Datum: 11.10.2022

Zeit: 11:30 – 11:45

Redezeit: 12 Min.

Diskussionszeit: 3 Min.

Ort / Stream:

Session

High frequency I

Themen

Electronic devices
Growth

Mitwirkende

Maliha Noshin (Stanford University / US), Dr. Rohith Soman (Stanford University / US), Professor Srabanti Chowdhury (Stanford University / US)